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130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  席善学
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国产PD CMOS/SOI器件和电路的辐照损伤效应及机理研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2008
作者:  王改丽
收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2014/10/13


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