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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 内容类型：学位论文    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 硅中H+ He+离子注入引起的物理效应与SOI高速度传感器的研制 学位论文 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2001 多新中 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2012/03/06 硅集成电路  SOI技术  离子注入  物理效应  加速度传感器