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A C-band GaN based linear power amplifier with 55.7% PAE 外文期刊
2010
作者:  Luo, WJ;  Liu, XY;  Zheng, YK;  Liu, GG;  Zhang, H
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Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET 外文期刊
2009
作者:  Liu, HH;  Xu, QX;  Duan, XF
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Low-Voltage Organic Field-Effect Transistor With PMMA/ZrO2 Bilayer Dielectric 外文期刊
2009
作者:  Shang, LW;  Tu, DY;  Liu, G;  Liu, XH;  Ji, ZY
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/26
Study of strained-silicon channel metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction 外文期刊
2008
作者:  Liu, HH;  Duan, XF;  Xu, QX;  Liu, BG
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/26
Buffer influence on AlSb/InAs/AlSb quantum wells 外文期刊
2007
作者:  Li, ZH;  Wang, WX;  Liu, LS;  Gao, HC;  Jiang, ZW
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26
Low-cost and highly manufacturable strained-Si channel technique for strong hole mobility enhancement on 35-nm gate length pMOSFETs 外文期刊
2007
作者:  Xu, QX;  Duan, XF;  Liu, HH;  Han, ZS;  Ye, TC
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Structure optimization of field-plate AlGaN/GaN HEMTs 外文期刊
2007
作者:  Luo, WJ;  Wei, K;  Chen, XJ;  Li, CZ;  Liu, XY
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26
Surface-induced large side-gating phenomenon in GaAs quantum wire transistors and its removal by surface passivation using Si interface control layer 外文期刊
2007
作者:  Jia, R;  Kasai, S;  Wang, Q;  Long, SB;  Bin Niu, J
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Hole mobility enhancement of pMOSFETs with strain channel induced by ge pre-amorphization implantation for source/drain extension 外文期刊
2006
作者:  Xu, QX;  Duan, XF;  Qian, H;  Liu, HH;  Li, HO
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Nanoscale strain analysis of strained-Si metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction 外文期刊
2006
作者:  Liu, HH;  Duan, XF;  Qi, XY;  Xu, QX;  Li, HO
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