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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET 外文期刊 2009 作者:  Liu, HH;  Xu, QX;  Duan, XF 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/26 Beam Electron-diffraction  Hole Mobility Enhancement  Elastic Relaxation  Layer Superlattices  Effect Transistors  Cmos Performance  Silicon  Specimens  Pmosfets   A novel source/drain on void (SDOV) MOSFET implemented by local co-implantation of hydrogen and helium 外文期刊 2008 作者:  Wang, YY;  Chan, MZ;  Feng, CG;  Chen, BQ;  Tian, Y 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/11/26 Low-cost and highly manufacturable strained-Si channel technique for strong hole mobility enhancement on 35-nm gate length pMOSFETs 外文期刊 2007 作者:  Xu, QX;  Duan, XF;  Liu, HH;  Han, ZS;  Ye, TC 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26 Structure optimization of field-plate AlGaN/GaN HEMTs 外文期刊 2007 作者:  Luo, WJ;  Wei, K;  Chen, XJ;  Li, CZ;  Liu, XY 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Fabrication and characterization of groove-gate MOSFETs based on a self-aligned CMOS process 外文期刊 2006 作者:  Ma, XH;  Hao, Y;  Sun, BG;  Gao, HX;  Ren, HX 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/26 Field-effect Transistors  Carrier-effect Immunity   Hole mobility enhancement of pMOSFETs with strain channel induced by ge pre-amorphization implantation for source/drain extension 外文期刊 2006 作者:  Xu, QX;  Duan, XF;  Qian, H;  Liu, HH;  Li, HO 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 SOI technology for radio-frequency integrated-circuit applications 外文期刊 2006 作者:   收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26 Rf-cmos  Silicon  Ghz   The investigation of key technologies for sub-0.1-mu m CMOS device fabrication 外文期刊 2001 作者:  Xu, QX;  Qian, H;  Yin, HX;  Jia, L;  Ji, HH 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/26 p+-polysilicon Gate  Ge Preamorphization  Thin-films  Oxides  Transformation  Suppression  Resistance  Extension  Salicide  Mosfet