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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A C-band GaN based linear power amplifier with 55.7% PAE 外文期刊 2010 作者:  Luo, WJ;  Liu, XY;  Zheng, YK;  Liu, GG;  Zhang, H 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/26 Effect of radio frequency power on the inductively coupled plasma etched Al0.65Ga0.35N surface 外文期刊 2010 作者:  Liu, XY;  Bai, Y;  Liu, J;  Ma, P;  Li, B 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/26 N-type Gan  Electronic-properties  Oxide  Damage  Ingan  Algan   Structure optimization of field-plate AlGaN/GaN HEMTs 外文期刊 2007 作者:  Luo, WJ;  Wei, K;  Chen, XJ;  Li, CZ;  Liu, XY 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Growth and characterization of 0.8-mu m gate length AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrates 外文期刊 2005 作者:  Wang, XL;  Wang, CM;  Hu, GX;  Wang, JX;  Ran, JX 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26 Field-effect Transistors  Surface Passivation