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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Role of interface layers and localized states in TiAl-based ohmic contacts to p-type 4H-SiC 其他 2007-01-01 Gao, M.; Tsukimoto, S.; Goss, S. H.; Tumakha, S. P.; Onishi, T.; Murakami, M.; Brillson, L. J. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/10 ohmic contact  p-type 4H-SiC  work function  Ti3SiC2  interface  localized states  ELECTRICAL-PROPERTIES  SILICON-CARBIDE  AL/TI CONTACTS  IMPLANTATION  MECHANISM  TI3SIC2