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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 n-Type Ohmic contact and p-type Schottky contact of monolayer InSe transistors 会议论文 PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 24641-24651, 2018 作者:  Shi, Bowen;  Wang, Yangyang;  Li, Jingzhen 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/25