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西安光学精密机械研... [91]
微电子研究所 [1]
内容类型
专利 [92]
发表日期
2014 [2]
2005 [2]
2004 [3]
2003 [5]
2002 [8]
2001 [5]
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内容类型:专利
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Strain compensation in transistors
专利
专利号: US9818884, 申请日期: 2017-11-14, 公开日期: 2017-11-14
作者:
LE, VAN H.
;
CHU-KUNG, BENJAMIN
;
KAVALIEROS, JACK T.
;
PILLARISETTY, RAVI
;
RACHMADY, WILLY
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/24
向沟道中引入应变的方法和使用该方法制作的器件
专利
专利号: US8748272, 申请日期: 2014-06-10, 公开日期: 2012-07-19
作者:
徐秋霞
;
殷华湘
;
陈大鹏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2015/05/28
Laser diode and method for fabricating same
专利
专利号: US8679876, 申请日期: 2014-03-25, 公开日期: 2014-03-25
作者:
CHAKRABORTY, ARPAN
;
HANSEN, MONICA
;
DENBAARS, STEVEN
;
NAKAMURA, SHUJI
;
BRANDES, GEORGE
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/24
Laser diode with high indium active layer and lattice matched cladding layer
专利
专利号: US8000366, 申请日期: 2011-08-16, 公开日期: 2011-08-16
作者:
BOUR, DAVID P.
;
CHUA, CHRISTOPHER L.
;
JOHNSON, NOBLE M.
;
YANG, ZHIHONG
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/26
Fabrication method for algainnpassb based devices
专利
专利号: USR41336, 申请日期: 2010-05-18, 公开日期: 2010-05-18
作者:
KONDOW, MASAHIKO
;
UOMI, KAZUHISA
;
NAKAMURA, HITOSHI
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/24
Method for making compound semiconductor and method for making semiconductor device
专利
专利号: US7575946, 申请日期: 2009-08-18, 公开日期: 2009-08-18
作者:
SATO, YASUO
;
HINO, TOMONORI
;
NARUI, HIRONOBU
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/24
Optoelektronische Halbleiteranordnung auf Basis einer Nitridverbindung der Gruppe III
专利
专利号: DE69838313D1, 申请日期: 2007-10-11, 公开日期: 2007-10-11
作者:
DUGGAN GOEFFREY
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/26
Vertical cavity emitting lasers
专利
专利号: GB2380606B, 申请日期: 2005-03-30, 公开日期: 2005-03-30
作者:
QING, , DENG
;
JOHN, , HERNIMAN
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/24
Long wavelength pseudomorphic InGaNPAsSb type-I and type-II active layers for the gaas material system
专利
专利号: US6859474, 申请日期: 2005-02-22, 公开日期: 2005-02-22
作者:
JOHNSON, SHANE
;
DOWD, PHILIP
;
BRAUN, WOLFGANG
;
ZHANG, YONG-HANG
;
GUO, CHANG-ZHI
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/26
Material systems for long wavelength lasers grown on GaSb or InAs substrates
专利
专利号: US6813297, 申请日期: 2004-11-02, 公开日期: 2004-11-02
作者:
BURAK, DARIUSZ
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提交时间:2019/12/26
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