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一种毫米波雷达防撞探测装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102486537A, 申请日期: 2012-06-06,
作者:  毕欣;  杜劲松;  李宁;  汤俊
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Light-emitting diode device and production method thereof 专利
专利号: US7528417, 申请日期: 2009-05-05, 公开日期: 2009-05-05
作者:  TAKEUCHI, RYOUICHI;  MATSUZAWA, KEIICHI;  YAMAZAKI, JUNICHI
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24
Complex coupling MQW semiconductor laser 专利
专利号: US6850550, 申请日期: 2005-02-01, 公开日期: 2005-02-01
作者:  KOBAYASHI, HIROHIKO;  ISHIKAWA, TSUTOMU;  SHOJI, HAJIME
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Optoelectronic system comprising several sections having respective functions coupled by evanescent coupling and production process 专利
专利号: US6633699, 申请日期: 2003-10-14, 公开日期: 2003-10-14
作者:  LEGAY, PHILIPPE;  RAMDANE, ABDERRAHIM
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24
Semiconductor light emitting element 专利
专利号: US6350997, 申请日期: 2002-02-26, 公开日期: 2002-02-26
作者:  SAEKI, RYO
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ装置 专利
专利号: JP3144821B2, 申请日期: 2001-01-05, 公开日期: 2001-03-12
作者:  新田 康一;  石川 正行;  岡島 正季;  板谷 和彦;  波多腰 玄一
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Self-sustained pulsation semiconductor laser 专利
专利号: US6160829, 申请日期: 2000-12-12, 公开日期: 2000-12-12
作者:  SAWANO, HIROYUKI
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半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2914711B2, 申请日期: 1999-04-16, 公开日期: 1999-07-05
作者:  渡辺 幸雄;  岡島 正季;  波多腰 玄一
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半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2908480B2, 申请日期: 1999-04-02, 公开日期: 1999-06-21
作者:  渡辺 幸雄;  岡島 正季;  波多腰 玄一
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半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2909133B2, 申请日期: 1999-04-02, 公开日期: 1999-06-23
作者:  新田 康一;  渡辺 幸雄
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