中国开放科研知识云: 检索

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半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2751356B2, 申请日期: 1998-02-27, 公开日期: 1998-05-18
作者: 井手雄一

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Process for the selective growth of GaAs 专利
专利号: US5185289, 申请日期: 1993-02-09, 公开日期: 1993-02-09
作者: MEIER, HEINZ P.; VAN GIESON, EDWARD A.; WALTER, WILLI

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Process for the selective growth of GaAs 专利
专利号: EP0348540B1, 申请日期: 1993-01-20, 公开日期: 1993-01-20
作者: MEIER, HEINZ PETER; GIESON, EDWARD A. VAN; WALTER, WILLI

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Visible beam semiconductor laser 专利
专利号: JP1992296081A, 申请日期: 1992-10-20, 公开日期: 1992-10-20
作者: FUJII NARIAKI; KONNO NOBUAKI

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Semiconductor laser device and manufacture thereof 专利
专利号: JP1992038890A, 申请日期: 1992-02-10, 公开日期: 1992-02-10
作者: YOSHIDA KAZUTOMI; MIZUOCHI HITOSHI

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Manufacture of semiconductor laser device 专利
专利号: JP1991295288A, 申请日期: 1991-12-26, 公开日期: 1991-12-26
作者: KURIHARA KAZUAKI; KAWARADA MOTONOBU; SASAKI KENICHI

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