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| 电注入硅基III-V族边发射纳米线激光器及其制备方法 专利 专利号: CN109638648A, 申请日期: 2019-04-16, 公开日期: 2019-04-16 作者: 李亚节; 周旭亮; 王梦琦; 于红艳; 杨文宇 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法 专利 专利号: CN108736314A, 申请日期: 2018-11-02, 公开日期: 2018-11-02 作者: 李亚节; 周旭亮; 王梦琦; 王鹏飞; 孟芳媛 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 硅基单片集成激光器 专利 专利号: CN206931836U, 申请日期: 2018-01-26, 公开日期: 2018-01-26 作者: 仇超; 龚谦; 武爱民; 高腾; 盛振 收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 硅基单片集成激光器及其制作方法 专利 专利号: CN106953234A, 申请日期: 2017-07-14, 公开日期: 2017-07-14 作者: 仇超; 龚谦; 武爱民; 高腾; 盛振 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 金属完全限制的硅基混合激光器的制备方法 专利 专利号: CN103887705A, 申请日期: 2014-06-25, 公开日期: 2014-06-25 作者: 隋少帅; 唐明英; 杨跃德; 肖金龙; 杜云 收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 一种基于图形化的SOI-ESD保护器件及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102201405A, 申请日期: 2011-09-28, 公开日期: 2011-09-28 程新红; 夏超; 王中健; 俞跃辉; 何大伟; 徐大伟 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2012/01/06 |
| 一种混晶材料的制备方法及用该材料制备的半导体器件 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102064097A, 申请日期: 2011-05-18, 公开日期: 2011-05-18 王曦; 张苗; 薛忠营 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2012/01/06 |
| 一种制备单电子晶体管的方法 专利 专利号: CN200710121366.4, 申请日期: 2010-09-22, 公开日期: 2009-03-11 作者: 贾锐; 叶甜春; 王琴; 李维龙; 刘明 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2010/11/26 |
| 一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法 专利 专利号: CN200710064857.X, 申请日期: 2010-06-09, 公开日期: 2008-10-01 作者: 贾锐; 叶甜春; 王琴; 李维龙; 刘明 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2010/11/26 |
| 双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1564323, 申请日期: 2005-01-12, 公开日期: 2005 林志浪; 张峰; 程新利; 董业民; 陈猛; 王曦 收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2012/01/06 |