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一种制备钛铝合金薄膜的方法 专利
专利号: US9954071, 申请日期: 2018-04-24, 公开日期: 2017-04-13
作者:  丁玉强;  赵超;  项金娟
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Low temperature epitaxial growth of quaternary wide bandgap semiconductors 专利
专利号: US6911084, 申请日期: 2005-06-28, 公开日期: 2005-06-28
作者:  KOUVETAKIS, JOHN;  TSONG, IGNATIUS S. T.;  ROUCKA, RADEK;  TOLLE, JOHN
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