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Circuit arrangement and method for controlling and measuring a current in a charge element 专利
专利号: US20180331499A1, 申请日期: 2018-11-15, 公开日期: 2018-11-15
作者:  BELLINGRATH, THOMAS
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半导体器件的制造方法 专利
专利号: US9899270, 申请日期: 2018-02-20, 公开日期: 2014-06-05
作者:  徐秋霞;  朱慧珑;  许高博;  周华杰;  梁擎擎
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低源漏接触电阻MOSFETs及其制造方法 专利
专利号: CN201110263766.5, 申请日期: 2016-04-20, 公开日期: 2013-03-20
作者:  赵超;  罗军
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半导体器件的制造方法 专利
专利号: US9252059, 申请日期: 2016-02-02, 公开日期: 2014-06-05
作者:  徐秋霞;  陈大鹏;  许高博;  周华杰;  朱慧珑
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2017/06/12
低源漏接触电阻MOSFETS及其制造方法 专利
专利号: CN201110264987.4, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2013-03-27
作者:  罗军;  赵超
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热稳定性镍基硅化物源漏MOSFETs及其制造方法 专利
专利号: CN201110074604.7, 申请日期: 2015-07-08, 公开日期: 2012-09-26
作者:  罗军;  赵超;  钟汇才;  李俊峰
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2016/09/18
改进MOSFETs镍基硅化物热稳定性的方法 专利
专利号: CN201110074395.6, 申请日期: 2015-01-14, 公开日期: 2012-09-26
作者:  李俊峰;  钟汇才;  赵超;  罗军
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Piezoelectric effect based low frequency low loss energy management chip for micro-power electronic device, has NAND gate connected with another NAND gate, where former NAND gate is connected with set of N-MOSFETs. 专利
申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2014-03-19
作者:  TANG Z LI Z YU J
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一种半导体场效应晶体管结构及其制备方法 专利
申请日期: 2011-07-27,
作者:  周华杰;  徐秋霞
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一种半导体器件结构及其制造方法 专利
申请日期: 2011-07-27,
作者:  周华杰;  徐秋霞
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