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Long wavelength vertical cavity surface emitting laser 专利
专利号: US7020172, 申请日期: 2006-03-28, 公开日期: 2006-03-28
作者:  NAONE, RYAN LIKEKE;  JACKSON, ANDREW W.;  CHIROVSKY, LEO M. F.
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Manufacturing method of compound semiconductor wafer 专利
专利号: US6649494, 申请日期: 2003-11-18, 公开日期: 2003-11-18
作者:  TAMURA, SATOSHI;  OGAWA, MASAHIRO;  ISHIDA, MASAHIRO;  YURI, MASAAKI
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Long, high-power semiconductor laser with shifted-wave and passivated output facet 专利
专利号: US6519272, 申请日期: 2003-02-11, 公开日期: 2003-02-11
作者:  BALIGA, ARVIND;  FLANDERS, DALE C.;  SALVATORE, RANDAL
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Manufacturing method of compound semiconductor wafer 专利
专利号: EP1227176A2, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2002-07-31
作者:  TAMURA, SATOSHI;  OGAWA, MASAHIRO;  ISHIDA, MASAHIRO;  YURI, MASAAKI
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Method and apparatus for producing group-III nitrides 专利
专利号: US20010006845A1, 申请日期: 2001-07-05, 公开日期: 2001-07-05
作者:  KRYLIOUK, OLGA
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Free standing quantum well structure 专利
专利号: EP0637110A1, 申请日期: 1995-02-01, 公开日期: 1995-02-01
作者:  KNOX, WAYNE HARVEY;  SHUNK, STEPHEN CASON;  WILLIAMS, MICHAEL D.;  ZUCKER, JANE ELISA
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Production of semiconductor element 专利
专利号: JP1992127157A, 申请日期: 1992-04-28, 公开日期: 1992-04-28
作者:  KANEKO TADAO;  SASAKI YOSHIMITSU;  SAITO KATSUTOSHI
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Formation of laser mirror facets and integration of optoelectronics 专利
专利号: US4933302, 申请日期: 1990-06-12, 公开日期: 1990-06-12
作者:  COSTRINI, GREGORY;  JAMBOTKAR, CHAKRAPANI G.
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METHOD FOR ACHIEVING IMPROVED EPITAXY QUALITY (SURFACE TEXTURE AND DEFECT DENSITY) ON FREE-STANDING (ALUMINUM, INDIUM, GALLIUM) NITRIDE ((Al,In,Ga)N) SUBSTRATES FOR OPTO-ELECTRONIC AND ELECTRONIC DEVICES 专利
专利号: EP1299900A2, 公开日期: 2003-04-09
作者:  FLYNN, JEFFREY, S.;  BRANDES, GEORGE, R.;  VAUDO, ROBERT, P.;  KEOGH, DAVID, M.;  XU, XUEPING
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