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| Group III nitride semiconductor light emitting device and method of fabricating group III nitride semiconductor light emitting device 专利
专利号: US8872156, 申请日期: 2014-10-28, 公开日期: 2014-10-28
作者: YONEMURA, TAKUMI; KYONO, TAKASHI; ENYA, YOHEI
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| Methods for controlling the crystalline nanofibre content of organic layers used in organic electronic devices 专利
专利号: US8518735, 申请日期: 2013-08-27, 公开日期: 2013-08-27
作者: LUTSEN, LAURENCE; OOSTERBAAN, WIBREN; BERTHO, SABINE; VANDERZANDE, DIRK
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| Photonic crystal surface emitting laser and method of manufacturing the same 专利
专利号: US20120327966A1, 申请日期: 2012-12-27, 公开日期: 2012-12-27
作者: NUMATA, AIHIKO
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| Processing wastewater with low carbon nitrogen ratio by using hydrolysis region and aerobic nitrification region that are connected in series to provide electron acceptor for denitrification ammoxidation reaction. 专利
申请日期: 2010-01-01, 公开日期: 2010-11-24
作者: YANG F ZHANG H GAO F
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| Weather-resistant dye for use as colorant in aqueous ink-jet ink composition, contains electron-acceptor group besides chromophore, which is linked to chromophore through non-conjugated carbon chain. 专利
申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2009-11-19
作者: FAN J PENG X SUN S ZHANG J ZHANG R
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| GaN based optoelectronic device and method for manufacturing the same 专利
专利号: US6221684, 申请日期: 2001-04-24, 公开日期: 2001-04-24
作者: SUGAWARA, HIDETO; ISHIKAWA, MASAYUKI
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| P型ZnTe単結晶の製造方法 专利
专利号: JP2708866B2, 申请日期: 1997-10-17, 公开日期: 1998-02-04
作者: 菱田 有二; 石井 宏明
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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1991290984A, 申请日期: 1991-12-20, 公开日期: 1991-12-20
作者: TAKESHIMA MASUMI
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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1989082586A, 申请日期: 1989-03-28, 公开日期: 1989-03-28
作者: FURUYAMA HIDETO; KUROBE ATSUSHI
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| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1987011287A, 申请日期: 1987-01-20, 公开日期: 1987-01-20
作者: TAKESHIMA MASUMI
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