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科研机构
西安光学精密机械研究... [8]
内容类型
专利 [8]
发表日期
2016 [1]
2005 [1]
1997 [2]
1993 [1]
1992 [1]
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High-Power Electronic Device Packages and Methods
专利
专利号: US20160049351A1, 申请日期: 2016-02-18, 公开日期: 2016-02-18
作者:
MCCANN, PATRICK, J.
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提交时间:2019/12/30
High performance optoelectronic and electronic inversion channel quantum well devices suitable for monolithic integration
专利
专利号: US6849866, 申请日期: 2005-02-01, 公开日期: 2005-02-01
作者:
TAYLOR, GEOFF W.
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提交时间:2019/12/26
移動電子効果装置
专利
专利号: JP1997507967A, 申请日期: 1997-08-12, 公开日期: 1997-08-12
作者:
バッタースビー スティーヴン ジョン
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor device and method of fabricating semiconductor device
专利
专利号: GB2304998A, 申请日期: 1997-03-26, 公开日期: 1997-03-26
作者:
YASUTOMO KAJIKAWA
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提交时间:2020/01/18
A method of fabricating a compositional semiconductor device
专利
专利号: EP0535293A1, 申请日期: 1993-04-07, 公开日期: 1993-04-07
作者:
NÖTZEL, RICHARD
;
LEDENTSOV, N. NIKOLAI, DR.
;
DÄWERITZ, LUTZ, DR.SC.
;
PLOOG, KLAUS, DR.
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提交时间:2019/12/31
Long wavelength transmitter opto-electronic integrated circuit
专利
专利号: CA2051453A1, 申请日期: 1992-05-20, 公开日期: 1992-05-20
作者:
MIHASHI YUTAKA
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/01/18
METHOD FOR ACHIEVING IMPROVED EPITAXY QUALITY (SURFACE TEXTURE AND DEFECT DENSITY) ON FREE-STANDING (ALUMINUM, INDIUM, GALLIUM) NITRIDE ((Al,In,Ga)N) SUBSTRATES FOR OPTO-ELECTRONIC AND ELECTRONIC DEVICES
专利
专利号: EP1299900A2, 公开日期: 2003-04-09
作者:
FLYNN, JEFFREY, S.
;
BRANDES, GEORGE, R.
;
VAUDO, ROBERT, P.
;
KEOGH, DAVID, M.
;
XU, XUEPING
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提交时间:2019/12/26
Performance of electronic and optoelectronic devices using a surfactant during epitaxial growth
专利
专利号: US20040077115A1, 公开日期: 2004-04-22
作者:
ZHANG, YONG-HANG
;
SADOFYEV, YURI
;
JOHNSON, SHANE RICHARD
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提交时间:2019/12/26
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