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High-Power Electronic Device Packages and Methods 专利
专利号: US20160049351A1, 申请日期: 2016-02-18, 公开日期: 2016-02-18
作者:  MCCANN, PATRICK, J.
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High performance optoelectronic and electronic inversion channel quantum well devices suitable for monolithic integration 专利
专利号: US6849866, 申请日期: 2005-02-01, 公开日期: 2005-02-01
作者:  TAYLOR, GEOFF W.
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移動電子効果装置 专利
专利号: JP1997507967A, 申请日期: 1997-08-12, 公开日期: 1997-08-12
作者:  バッタースビー スティーヴン ジョン
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Semiconductor device and method of fabricating semiconductor device 专利
专利号: GB2304998A, 申请日期: 1997-03-26, 公开日期: 1997-03-26
作者:  YASUTOMO KAJIKAWA
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A method of fabricating a compositional semiconductor device 专利
专利号: EP0535293A1, 申请日期: 1993-04-07, 公开日期: 1993-04-07
作者:  NÖTZEL, RICHARD;  LEDENTSOV, N. NIKOLAI, DR.;  DÄWERITZ, LUTZ, DR.SC.;  PLOOG, KLAUS, DR.
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Long wavelength transmitter opto-electronic integrated circuit 专利
专利号: CA2051453A1, 申请日期: 1992-05-20, 公开日期: 1992-05-20
作者:  MIHASHI YUTAKA
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METHOD FOR ACHIEVING IMPROVED EPITAXY QUALITY (SURFACE TEXTURE AND DEFECT DENSITY) ON FREE-STANDING (ALUMINUM, INDIUM, GALLIUM) NITRIDE ((Al,In,Ga)N) SUBSTRATES FOR OPTO-ELECTRONIC AND ELECTRONIC DEVICES 专利
专利号: EP1299900A2, 公开日期: 2003-04-09
作者:  FLYNN, JEFFREY, S.;  BRANDES, GEORGE, R.;  VAUDO, ROBERT, P.;  KEOGH, DAVID, M.;  XU, XUEPING
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Performance of electronic and optoelectronic devices using a surfactant during epitaxial growth 专利
专利号: US20040077115A1, 公开日期: 2004-04-22
作者:  ZHANG, YONG-HANG;  SADOFYEV, YURI;  JOHNSON, SHANE RICHARD
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