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静磁场作用下原位自生MgB2超导材料的制备方法 专利
申请日期: 2005-01-01,
作者:  任忠鸣[1];  李喜[2];  邓康[3];  钟云波[4];  李瑛[5]
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脉冲磁场作用下原位自生MgB2超导材料的制备方法 专利
申请日期: 2005-01-01,
作者:  李瑛[1];  朱明原[2];  李文献[3];  金红明[4];  任钟鸣[5]
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