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晶体硅体少子寿命的测试方法 专利
申请日期: 2017-08-25,
作者:  叶继春;  潘淼;  高平奇;  韩灿
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一种测量PIN二极管反向恢复时间的方法 专利
专利号: CN101118273, 申请日期: 2006-07-31, 公开日期: 2008-02-06, 2010-11-26
作者:  吴茹菲;  杨浩;  张海英
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一种单晶薄膜异质结太阳电池及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010531371.4, 公开日期: 2011-08-30
作者:  韩培德
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