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| 用于制造具有可饱和半导体吸收材料的镜体的方法 专利
专利号: CN106030935B, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
作者: J-L·乌达尔; S·布乔勒
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| 用于制造具有可饱和半导体吸收材料的镜体的方法 专利
专利号: CN106030935B, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
作者: J-L·乌达尔; S·布乔勒
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| 用于测量太赫兹量子级联激光器增益的器件及测量方法 专利
专利号: CN109244822A, 申请日期: 2019-01-18, 公开日期: 2019-01-18
作者: 徐刚毅; 何力; 朱欢; 俞辰韧; 常高垒
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| 一种基于弥散黏滞性波动方程的吸收边界反射方法 专利
申请日期: 2015-07-01,
作者: 高静怀; 赵海霞
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| 一种扩展直角坐标系下完全匹配吸收边界的实现方法 专利
申请日期: 2015-01-01, 公开日期: 2015-07-22
作者: 刘江凡; 朱忠博; 方云; 席晓莉
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| 一种扩展柱坐标系下完全匹配吸收边界的实现方法 专利
申请日期: 2015-01-01, 公开日期: 2015-08-05
作者: 席晓莉; 方云; 刘江凡; 朱忠博
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| 一种等离子体中扩展坐标的完全匹配吸收边界的实现方法 专利
申请日期: 2015-01-01, 公开日期: 2015-07-29
作者: 张金生; 席晓莉; 方云; 刘江凡
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| 二维等离子体中扩展坐标的完全匹配吸收边界的实现方法 专利
申请日期: 2015-01-01, 公开日期: 2015-07-01
作者: 席晓莉; 方云; 刘江凡
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| 一种材料热物性参数和吸收率的校正法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: ZL201010538427.9, 申请日期: 2014-05-07, 公开日期: 2014-12-10
作者: 聂树真 ; 郑彩云; 虞钢; 何秀丽; 宁伟健
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| 一种用于变密度声波方程的混合吸收边界条件的实现方法 专利
申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2014-04-02
作者: 范廷恩; 李绪宣; 周辉; 马淑芳; 余连勇
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