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| 模拟晶体内小概率原子电输运转变的二维数据处理方法 专利
申请日期: 2017-08-15,
作者: 边亮; 宋绵新; 徐金宝; 董发勤; 李伟民
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| 一种具有二维片层结构的碳化物晶体材料及其制备方法 专利
专利号: CN104762660A, 申请日期: 2015-07-08, 公开日期: 2015-07-08
作者: 黄庆; 陈科; 陈苒; 周小兵; 叶群
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| 一种快速制备大面积二维胶体晶体的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 102162136A, 申请日期: 2013-05-01, 公开日期: 2011-08-24
作者: 周明 ; 吕志成
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| 射频等离子体分子束外延生长氮化镓的双缓冲层工艺 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1395291, 申请日期: 2003-02-05, 公开日期: 2003-02-05
齐鸣; 李爱珍; 赵智彪
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| 一种制备六方氮化硼二维原子晶体的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
张兴旺; 王浩林; 刘鑫; 孟军华; 尹志岗
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| 一种少层三氧化钼二维原子晶体纳米片的制备方法和应用 专利
公开日期: 2017
作者: 谢伟广[1]; 何锐辉[1]
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| 一种少层三氧化钼二维原子晶体的制备方法 专利
公开日期: 2016
作者: 谢伟广[1]; 王雨[1]
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