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一种基于侧向P-I-N结构的电吸收激光器及其制造方法 专利
专利号: CN106253055B, 申请日期: 2019-08-20, 公开日期: 2019-08-20
作者:  万枫;  熊永华;  岳爱文;  王任凡;  曾笔鉴
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一种基于侧向P-I-N结构的电吸收激光器及其制造方法 专利
专利号: CN106253055B, 申请日期: 2019-08-20, 公开日期: 2019-08-20
作者:  万枫;  熊永华;  岳爱文;  王任凡;  曾笔鉴
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Multimode interference based vpin diode waveguides 专利
专利号: EP3503317A1, 申请日期: 2019-06-26, 公开日期: 2019-06-26
作者:  SRINIVASAN, ASHWYN;  VAN CAMPENHOUT, JORIS
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THIẾT BỊ ĐIỆN TỬ 专利
专利号: VN61451A, 申请日期: 2019-01-25, 公开日期: 2019-01-25
作者:  LEE, KWANG SUB;  JANG, SE YOUNG;  CHO, CHI HYUN;  SONG, KYUNG HOON;  JIN, YUN JANG
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Ge/GeSn异质结激光器及其制备方法 专利
专利号: CN109244829A, 申请日期: 2019-01-18, 公开日期: 2019-01-18
作者:  舒斌;  张利锋;  高玉龙;  胡辉勇;  王斌
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日盲紫外单光子源 专利
专利号: CN207691196U, 申请日期: 2018-08-03, 公开日期: 2018-08-03
作者:  陈飞良;  李沫;  李倩;  张晖;  黄锋
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一种半导体激光器制作方法和结构 专利
专利号: CN105356296B, 申请日期: 2018-07-10, 公开日期: 2018-07-10
作者:  万枫;  熊永华;  王任凡;  罗飚
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THIẾT BỊ LAZE, PHƯƠNG PHÁP ĐIỀU CHỈNH THIẾT BỊ LAZE VÀ PHƯƠNG PHÁP XỬ LÝ NHIỆT SỬ DỤNG THIẾT BỊ LAZE NÀY 专利
专利号: VN57524A, 申请日期: 2018-05-25, 公开日期: 2018-05-25
作者:  MIMOUN, EMMANUEL;  DUBOST, BRICE;  CANOVA, LORENZO;  DESBOEUFS, NICOLAS
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31
日盲紫外单光子源及其制备方法 专利
专利号: CN107919604A, 申请日期: 2018-04-17, 公开日期: 2018-04-17
作者:  陈飞良;  李沫;  李倩;  张晖;  黄锋
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半导体元件的制造方法、半导体元件 专利
专利号: CN107528215A, 申请日期: 2017-12-29, 公开日期: 2017-12-29
作者:  土屋裕彰;  山口晴央;  中井荣治
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