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III族氮化物发光器件 专利
专利号: CN103180973A, 申请日期: 2013-06-26, 公开日期: 2013-06-26
作者:  M.J.格伦德曼恩;  N.F.加德纳;  W.K.戈伊茨;  M.B.麦克劳林;  J.E.埃普勒
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集積回路の製造方法 专利
专利号: JP2512218B2, 申请日期: 1996-04-16, 公开日期: 1996-07-03
作者:  松田 薫;  成沢 忠
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半導体発光素子 专利
专利号: JP1995326817A, 申请日期: 1995-12-12, 公开日期: 1995-12-12
作者:  倉又 朗人
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III-V Semiconductor heterostructure contacting a P-type II-VI compound 专利
专利号: US5442204, 申请日期: 1995-08-15, 公开日期: 1995-08-15
作者:  MENSZ, PIOTR M.
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化合物半導体装置の製造方法 专利
专利号: JP1994013316A, 申请日期: 1994-01-21, 公开日期: 1994-01-21
作者:  古川 幸生;  織田 仁
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Semiconductor light-emitting element 专利
专利号: JP1990133979A, 申请日期: 1990-05-23, 公开日期: 1990-05-23
作者:  SAKAI KAZUO;  KUSHIRO YUKITOSHI;  NISHIMURA KOUSUKE
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Semimagnetic semiconductor laser 专利
专利号: US4813049, 申请日期: 1989-03-14, 公开日期: 1989-03-14
作者:  BECLA, PIOTR
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