QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102208756A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 汪明; 杨涛 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/09/09 一种对铁电晶体材料进行极化的极化电极 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102436114A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 郑婉华; 范学东; 马传龙; 马绍栋; 齐爱谊 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/09/09 基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130026A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-07-20, 2012-09-07 毛旭; 杨晋玲; 杨富华 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/09/07