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非挥发性阻变存储器件及其制备方法 专利
专利号: US10134983, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-08-11
作者:  刘琦;  刘明;  孙海涛;  张科科;  龙世兵
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包括带电荷穿通阻止层以降低穿通的CMOS器件及其制造方法 专利
专利号: US10128244, 申请日期: 2018-11-13, 公开日期: 2017-05-11
作者:  朱慧珑;  魏星
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半导体设置及其制造方法及包括该设置的电子设备 专利
专利号: US10115641, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2018-04-05
作者:  朱慧珑
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半导体器件的制造方法 专利
专利号: US9899270, 申请日期: 2018-02-20, 公开日期: 2014-06-05
作者:  徐秋霞;  朱慧珑;  许高博;  周华杰;  梁擎擎
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一种对磁多畴态进行调控的方法 专利
专利号: US9779836, 申请日期: 2017-10-03, 公开日期: 2015-09-17
作者:  毕冲;  龙世兵;  刘明
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半导体器件的制造方法 专利
专利号: US9773707, 申请日期: 2017-09-26, 公开日期: 2016-12-29
作者:  赵超;  李俊峰;  刘金彪;  王桂磊;  高建峰
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鳍式场效应晶体管及其制造方法 专利
专利号: US9679962, 申请日期: 2017-06-13, 公开日期: 2016-06-30
作者:  朱慧珑;  许淼;  赵利川
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用于双极型阻变存储器交叉阵列集成方式的选通器件单元 专利
专利号: US9508776, 申请日期: 2016-12-29, 公开日期: 2014-09-18
作者:  刘琦;  刘明;  龙世兵;  吕杭炳;  王艳
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一种垂直沟道型三维半导体存储器件及其制备方法 专利
专利号: US9437609, 申请日期: 2016-09-06, 公开日期: 2015-06-25
作者:  霍宗亮;  刘明
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2017/06/09
半导体器件制造方法 专利
专利号: US9425288, 申请日期: 2016-08-23, 公开日期: 2014-01-09
作者:  钟汇才;  梁擎擎;  赵超
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