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| 一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器 专利 专利号: CN201620835458.3, 申请日期: 2017-01-18, 作者: 于猛; 韩郑生; 罗家俊; 闫薇薇; 曾传滨 收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2018/02/07 |
| 一种监控凹栅槽刻蚀的新方法 专利 专利号: CN201410046236.9, 申请日期: 2016-08-24, 公开日期: 2014-04-23 作者: 郑英奎; 袁婷婷; 魏珂; 刘新宇 收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2017/05/27 |
| N型高效太阳能电池中一种制备p+型掺杂层与n+前表面场的方法 专利 专利号: CN201210323522.6, 申请日期: 2016-01-20, 公开日期: 2012-12-12 作者: 贾锐; 张巍; 陈晨; 张代生; 金智 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2017/05/27 |
| 一种数字集成电路测试总线接口 专利 专利号: CN201310006983.5, 申请日期: 2015-11-11, 公开日期: 2013-04-17 作者: 谢朝辉; 周玉梅; 黑勇; 刘海南; 王德坤 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2016/09/13 |
| 具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法 专利 专利号: CN200910306624.5, 申请日期: 2012-12-05, 公开日期: 2010-02-03 作者: 白云; 麻芃; 刘键; 朱杰; 饶志鹏 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2010/11/26 |
| 一种触发增强多晶二极管及其制作方法 专利 专利号: 201210039824.0, 申请日期: 2012-02-20, 公开日期: 2015-05-21 作者: 姜一波; 杜寰 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2015/05/21 |
| 一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法 专利 专利号: CN200910092439.0, 申请日期: 2011-07-06, 公开日期: 2010-02-24 作者: 刘新宇; 赵妙; 王鑫华 收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2010/11/26 |
| 一种PIN管的非线性等效电路 专利 专利号: CN101561829, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-10-21, 2010-11-26 作者: 尹军舰; 吴茹菲; 张海英 收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2010/11/26 |
| 一种砷化镓PIN二极管及其制作方法 专利 专利号: CN101140955, 申请日期: 2006-09-06, 公开日期: 2008-03-12, 2010-11-26 作者: 杨浩; 吴茹菲; 张海英 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2010/11/26 |
| 一种测量PIN二极管反向恢复时间的方法 专利 专利号: CN101118273, 申请日期: 2006-07-31, 公开日期: 2008-02-06, 2010-11-26 作者: 吴茹菲; 杨浩; 张海英 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2010/11/26 |