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The effect of oxygen vacancy on switching mechanism of ZnO resistive switching memory 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 卷号: 110, 期号: 1-7
作者:  Hu, C;  Wang, Q;  Bai, S;  Xu, M;  He, DY
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Self-compliance multilevel storage characteristic in HfO2-based device 期刊论文
Chinese Physics B, 2016, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 106102-1-106102-3
作者:  Gao, Xiao-Ping;  Fu, Li-Ping;  Chen, Chuan-Bing;  Yuan, Peng;  Li, Ying-Tao
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/01/12
Polarization-induced resistive switching behaviors in complex oxide heterostructures 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 卷号: 107, 期号: 12
作者:  Wu, L;  Zhang, C;  Dong, CH;  Jia, CL;  Jiang, CJ
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/01/13
Nonvolatile bipolar resistive switching behavior of epitaxial NdFeO3-PbTiO3 thin films grown on Nb:SrTiO3(001) substrate 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2015, 卷号: 8, 期号: 5
作者:  Gao, CX;  Zhang, P;  Xu, BH;  Chen, ZD;  Qi, L
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/01/13
Hydrothermal epitaxial growth and nonvolatile bipolar resistive switching behavior of LaFeO3-PbTiO3 films on Nb:SrTiO3(001) substrate 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 105, 期号: 15, 页码: -
作者:  Zhang, P;  Gao, CX;  Lv, FZ;  Wei, YP;  Dong, CH
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/05/25
Resistive switching in doped BiFeO3 films 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 115, 期号: 17, 页码: -
作者:  Wu, L;  Jiang, CJ;  Xue, DS
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/05/25
A SELF-RECTIFYING BIPOLAR RRAM DEVICE BASED ON Ni/HfO2/n(+)-Si STRUCTURE 期刊论文
MODERN PHYSICS LETTERS B, 2014, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: -
作者:  Li, YT;  Jiang, XY;  Tao, CL
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/05/25
Bipolar resistive switching based on bis(8-hydroxyquinoline) cadmium complex: Mechanism and non-volatile memory application 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: -
作者:  Wang, Y;  Yang, T;  Xie, JP;  Lu, WL;  Fan, GY
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/05/25
Improvement of Resistive Switching Uniformity in TiOx Films by Nitrogen Annealing 期刊论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2011, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: L407-L410
作者:  Li, YT;  Wang, Y;  Liu, S;  Long, SB;  Lv, HB
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/05/25
Investigation of resistive switching behaviours in WO3-based RRAM devices 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: -
作者:  Li, YT;  Long, SB;  Lu, HB;  Liu, Q;  Wang, Q
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/05/25

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