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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：Physics     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Total ionizing dose effect on 0.18 mu m narrow-channel NMOS transistors 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 13 作者:  Wu Xue;  Lu Wu;  Wang Xin;  Xi Shan-Bin;  Guo Qi 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/11/07 0.18 mu m  narrow-channel NMOS transistor  60Co gamma  RINCE   research on sram functional failure mode induced by total ionizing dose irradiation 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: - 作者:  Zheng Qi-Wen;  Yu Xue-Feng;  Cui Jiang-Wei;  Guo Qi;  Ren Di-Yuan 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/11/07 SRAM  function failure  test pattern  data retention fault   serial ferroelectric memory ionizing radiation effects and annealing characteristics 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 15, 页码: - 作者:  Zhang Xing-Yao;  Guo Qi;  Lu Wu;  Zhang Xiao-Fu;  Zheng Qi-Wen 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/11/07 ferroelectric random memory  ionizing radiation effects  annealing characteristics   research on sram functional failure mode induced by total ionizing dose irradiation 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: 378-384 作者:  Zheng Qi-Wen;  Yu Xue-Feng;  Cui Jiang-Wei;  Guo Qi;  Ren Di-Yuan 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2013/11/07 Sram  Function Failure  Test Pattern  Data Retention Fault   The influence of channel length on total ionizing dose effect in deep submicron technologies 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 5, 页码: 50702 Hu, ZY; Liu, ZL; Shao, H; Zhang, ZX（重点实验室）; Ning, BX; Bi, DW（重点实验室）; Chen, M; Zou, SC（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Multidisciplinary   The influence of channel length on total ionizing dose effect in deep submicron technologies 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 5, 页码: 50702 Hu, ZY; Liu, ZL; Shao, H; Zhang, ZX; Ning, BX; Bi, DW; Chen, M; Zou, SC 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/04/17 total ionizing dose  shallow trench isolation  oxide trapped charge  metal-oxide-semiconductor field effect transistor   Theorical model of enhanced low dose rate sensitivity observed in p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 6 作者:  Gao Bo;  Yu Xue-Feng;  Ren Di-Yuan;  Cui Jiang-Wei;  Lan Bo 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2012/11/29 p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor  Co-60 gamma-ray  total-dose irradiation damage effects  enhanced low dose rate sensitivity   Degradation and dose rate effects of bipolar linear regulator on ionizing radiation 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 9, 页码: - 作者:  Wang Yi-Yuan;  Lu Wu;  Ren Di-Yuan;  Guo Qi;  Yu Xue-Feng 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/11/29 bipolar linear regulators  total ionizing dose  dose rate effect  radiation damage   A CaS:Ce,Sm-based dosimeter for online dosimetry measurement 期刊论文 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2011, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 84-88 作者:  Sun Yurun;  Chen Zhaoyang;  Fan Yanwei;  Yan Shiyou;  He Chengfa 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/11/29 OSL  CaS:Ce  Sm  Online dosimeter  Radiation dosimetry   Enhanced Total Ionizing Dose Susceptibility in Narrow Channel Devices 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 7, 页码: 70701 Liu,ZL; Hu,ZY; Zhang,ZX; Shao,H; Ning,BX; Bi,DW; Chen,M; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/04/10 IOP PUBLISHING LTD