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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：Physics     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Flexible Poly(Vinyl Alcohol)-Graphene Oxide Hybrid Nanocomposite Based Cognitive Memristor with Pavlovian-Conditioned Reflex Activities 期刊论文 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 卷号: 6, 期号: 5 作者:  Xiong, Wen;  Zhu, Li Qiang;  Ye, Cong;  Ren, Zheng Yu;  Yu, Fei 收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2020/12/16 RESISTIVE SWITCHING BEHAVIOR  MEMORY   Magnetism modulation and conductance quantization in a gadolinium oxide memristor 期刊论文 PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2020, 卷号: 22, 期号: 45, 页码: 26322-26329 作者:  Xie, Zhuolin;  Gao, Shuang;  Ye, Xiaoyu;  Yang, Huali;  Gong, Guodong 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2020/12/16 MEMORIES  DEVICE   Quenching of Spin Polarization Switching in Organic Multiferroic Tunnel Junctions by Ferroelectric "Ailing-Channel" in Organic Barrier 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 卷号: 10, 期号: 36, 页码: 30614-30622 作者:  Desfeux, Rachel;  Li, Xiaoguang;  Migot, Sylvie;  Chaudhuri, Debapriya;  Yang, Hongxin 收藏  |  浏览/下载：180/0  |  提交时间：2018/12/04 Nonvolatile Memory  Spinterface  Valves  Films  Semiconductors  Storage  Polymer  Devices   Error and jitter effect studies on the SLED for the BEPC II-linac 期刊论文 CHINESE PHYSICS C, 2012, 卷号: 36, 期号: 5, 页码: 456-463 作者:  Pei SL(裴士伦);  Li XP(李小平);  肖欧正;Pei, SL;  Li, XP;  Xiao, OZ 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2016/04/08 error effect  jitter effect  BEPC II linac  SLED  RF pulse compressor   Investigation on Energetic Optimization Problems of Stochastic Thermodynamics with Iterative Dynamic Programming 期刊论文 COMMUNICATIONS IN COMPUTATIONAL PHYSICS, 2010, 卷号: 7, 期号: 5, 页码: 904-926 作者:  Ou-Yang, Zhong-can;  Li, M , Chinese Acad Sci, Grad Univ, Coll Phys Sci, Beijing 100190, Peoples R China;  Gong, Linchen;  Li, Ming 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/08/02 Molecular Motors  Efficiency  Dna  Machines  Engines  Model   Forming-free colossal resistive switching effect in rare-earth-oxide Gd2O3 films for memristor applications 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 106, 期号: 7, 页码: 73723-73723 Cao,X; Li,XM; Gao,XD; Yu,WD; Liu,XJ; Zhang,YW; Chen,LD; Cheng,XH 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 NONVOLATILE MEMORY  RESISTANCE  TRANSITION  SRTIO3