QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：Physics     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication of remarkably magnetic-property-enhanced anisotropic Sm2Fe17Nx nanoflakes by surfactant assisted ball milling at low temperature 期刊论文 JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2020, 卷号: 498 作者:  Li, Yanpeng;  Wang, Fengqing;  Liu, J. Ping;  Wang, Fang;  Wang, Shengmin 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/12/16 BONDED MAGNETS  SINGLE-CRYSTAL  PARTICLE-SIZE  COERCIVITY  NANOPARTICLES  DEPENDENCE  SUBMICRON  FLAKES   Preparation of submicron-sized Sm2Fe17N3 fine powder by ultrasonic spray pyrolysis-hydrogen reduction (USP-HR) and subsequent reduction-diffusion process 期刊论文 AIP ADVANCES, 2020, 卷号: 10, 期号: 5 作者:  Zheng, Jingwu;  Tian, Shijun;  Liu, Kaihua;  Cai, Wei;  Tang, Yiping 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/12/16 MAGNETIC-PROPERTIES  ALLOY PARTICLES  HIGH COERCIVITY  MECHANISM   The influence of channel length on total ionizing dose effect in deep submicron technologies 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 5, 页码: 50702 Hu, ZY; Liu, ZL; Shao, H; Zhang, ZX（重点实验室）; Ning, BX; Bi, DW（重点实验室）; Chen, M; Zou, SC（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Multidisciplinary   The influence of channel length on total ionizing dose effect in deep submicron technologies 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 5, 页码: 50702 Hu, ZY; Liu, ZL; Shao, H; Zhang, ZX; Ning, BX; Bi, DW; Chen, M; Zou, SC 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/04/17 total ionizing dose  shallow trench isolation  oxide trapped charge  metal-oxide-semiconductor field effect transistor   Electron acceleration via high contrast laser interacting with submicron clusters 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 100, 期号: 1, 页码: 14104 作者:  Zhang, L;  Chen, LM;  Wang, WM;  Yan, WC;  Yuan, DW 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/04/08 Bias dependence of a deep submicron NMOSFET response to total dose irradiation 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 70701 Liu,ZL; Hu,ZY; Zhang,ZX; Shao,H; Chen,M; Bi,DW; Ning,BX; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/04/10 IOP PUBLISHING LTD   Bias dependence of a deep submicron NMOSFET response to total dose irradiation 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 70701 Liu, ZL; Hu, ZY; Zhang, ZX; Shao, H; Chen, M; Bi, DW（重点实验室）; Ning, BX; Zou, SC（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Multidisciplinary   Low-compressibility of tungsten tetraboride: a high pressure X-ray diffraction study 期刊论文 HIGH PRESSURE RESEARCH, 2011, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: #REF! 作者:  Liu, CJ;  Peng, F;  Tan, N;  Liu, J;  Li, FJ 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/04/12 tungsten tetraboride  equation of state  low-compressibility  synchrotron X-ray diffraction   High-breakdown-voltage submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(t)=170 GHz and f(max)=253GHz 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2686-2689 Jin, Z; Su, YB; Cheng, W; Liu, XY; Xu, AH; Qi, M 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Multidisciplinary   X-ray lithography technology for the fabrication of deep-submicron T-shaped gate 期刊论文 HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 2003, 卷号: 27, 页码: #REF! 作者:  Xie, CQ;  Chen, DP;  Li, B;  Wang, DQ;  Ye, TC 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2016/04/12 X-ray lithography  X-ray mask  deep-submicron T-shaped gate  blur