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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：Physics    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 120703 Liu,ZL; Hu,ZY; Zhang,ZX; Shao,H; Chen,M; Bi,DW; Ning,BX; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/04/10 IOP PUBLISHING LTD   Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 120703 Liu, ZL; Hu, ZY; Zhang, ZX（重点实验室）; Shao, H; Chen, M; Bi, DW; Ning, BX; Zou, SC（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Multidisciplinary   Forming-free colossal resistive switching effect in rare-earth-oxide Gd2O3 films for memristor applications 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 106, 期号: 7, 页码: 73723-73723 Cao,X; Li,XM; Gao,XD; Yu,WD; Liu,XJ; Zhang,YW; Chen,LD; Cheng,XH 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 NONVOLATILE MEMORY  RESISTANCE  TRANSITION  SRTIO3