QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：Physics    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The influence of channel length on total ionizing dose effect in deep submicron technologies 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 5, 页码: 50702 Hu, ZY; Liu, ZL; Shao, H; Zhang, ZX; Ning, BX; Bi, DW; Chen, M; Zou, SC 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/04/17 total ionizing dose  shallow trench isolation  oxide trapped charge  metal-oxide-semiconductor field effect transistor   Fabrication of Direct Silicon Bonded Hybrid Orientation Substrate by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer and Oxide Dissolution Annealing 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2011, 卷号: 4, 期号: 3, 页码: 31301 Wei,X; Xue,ZY; Wu,AM; Cao,GB; Zhang,B; Lin,CL; Zhang,MA; Wang,X 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2012/04/10 JAPAN SOC APPLIED PHYSICS   Origin of high oxide to nitride polishing selectivity of ceria-based slurry in the presence of picolinic acid 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 38102 Wang,LY; Liu,B; Song,ZT; Liu,WL; Feng,SL; Huang,D; Babu,SV 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/04/10 IOP PUBLISHING LTD   Fabrication of Direct Silicon Bonded Hybrid Orientation Substrate by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer and Oxide Dissolution Annealing 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2011, 卷号: 4, 期号: 3, 页码: 31301 Wei, X; Xue, ZY; Wu, AM（重点实验室）; Cao, GB; Zhang, B; Lin, CL（重点实验室）; Zhang, MA; Wang, X（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Applied   Proximity and reversal magnetoresistance behaviour in the oxide heterostructure of cuprate and manganite 期刊论文 SUPERCONDUCTOR SCIENCE & TECHNOLOGY, 2010, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 34010 Cai, CB; Peng, L; Holzapfel, B; Xie, XM（重点实验室）; Liu, ZY; Lu, YM; Chen, CZ 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Physics  Applied  Condensed Matter   Forming-free colossal resistive switching effect in rare-earth-oxide Gd2O3 films for memristor applications 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 106, 期号: 7, 页码: 73723 Cao, X; Li, XM; Gao, XD; Yu, WD; Liu, XJ; Zhang, YW; Chen, LD; Cheng, XH（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Applied   Forming-free colossal resistive switching effect in rare-earth-oxide Gd2O3 films for memristor applications 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 106, 期号: 7, 页码: 73723-73723 Cao,X; Li,XM; Gao,XD; Yu,WD; Liu,XJ; Zhang,YW; Chen,LD; Cheng,XH 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 NONVOLATILE MEMORY  RESISTANCE  TRANSITION  SRTIO3   Effects of the technology of implanting nitrogen into buried oxide layer on the characteristics of partially depleted SOI nMOSFET 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2005, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 348-353 Zheng, ZS; Liu, ZL; Zhang, GQ; Li, N; Fan, K; Zhang, EX; Yi, WB; Chen, M; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 SILICON  SCATTERING  INVERSION  MOBILITY  DEVICES