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上海微系统与信息技术... [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2006 [2]
1992 [1]
学科主题
Physics [5]
Applied [2]
Applied; P... [1]
Condensed ... [1]
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Mathematic... [1]
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学科主题:Physics
专题:上海微系统与信息技术研究所
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Gate direct-tunnelling and hot-carrier-induced hysteresis effect in partially depleted silicon-on-insulator floating-body MOSFETs
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 44, 期号: 7, 页码: 75103
Zhou,JH
;
Pang,A
;
Zou,SC
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/04/10
IOP PUBLISHING LTD
Noise temperature spectrum of hot electrons in semiconductor superlattices
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 105, 期号: 1, 页码: 13717
Wang, C
;
Cao, J(重点实验室)C
;
Zhang, C
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2013/05/10
Physics
Applied
Monte Carlo simulation of hot phonon effects in resonant-phonon-assisted terahertz quantum-cascade lasers
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 61119-61119
Lu,JT
;
Cao,JC
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2011/12/17
ELECTRON-TRANSPORT
SCATTERING
RELAXATION
DYNAMICS
Hot-electron dynamics and terahertz generation in GaN quantum wells in the streaming transport regime
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2006, 卷号: 73, 期号: 19, 页码: 195326-195326
Lu,JT
;
Cao,JC
;
Feng,SL
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浏览/下载:86/0
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提交时间:2011/12/17
MONTE-CARLO-SIMULATION
TRANSIT-TIME RESONANCE
GROUP-III NITRIDES
2-DIMENSIONAL ELECTRONS
PHONON-SCATTERING
BULK GAN
MOBILITY
HETEROSTRUCTURES
SEMICONDUCTORS
FIELD
BALANCE-EQUATION APPROACH TO HOT-CARRIER TRANSPORT IN SEMICONDUCTORS
期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 1992, 卷号: 6, 期号: 7, 页码: 805-936
LEI,XL(雷啸霖)
;
HORING,NJM
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提交时间:2012/03/25
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