QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Multidisciplinary     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of implantation of nitrogen into SIMOX buried oxide on its fixed positive charge density 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5446-5451 Zheng, ZS; Zhang, EX; Liu, ZL; Zhang, ZX; Li, N; Li, GH 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 IMPLANTING NITROGEN  RADIATION HARDNESS  SOI TECHNOLOGIES  IMPROVEMENT  LAYER  ION   Improvement of total-dose irradiation hardness of silicon-on-insulator materials by modifying the buried oxide layer with ion implantation 期刊论文 CHINESE PHYSICS, 2006, 卷号: 15, 期号: 4, 页码: 792-797 Zhang, EX; Qian, C; Zhang, ZX; Lin, CL; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 IMPLANTING NITROGEN  RADIATION RESPONSE  THERMAL OXIDES  SIMOX  CHARGE  ELECTRON  OXYGEN  HOLE  TRANSISTORS  TECHNOLOGY   Effect of the technology of implanting nitrogen into buried oxide on the radiation hardness of the top gate oxide for partially depleted SOIPMOSFET 期刊论文 CHINESE PHYSICS, 2005, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 565-570 Zheng, ZS; Liu, ZL; Zhang, GQ; Li, N; Fan, K; Zhang, EX; Yi, WB; Chen, M; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24