中国开放科研知识云: 检索

验证码:

换一张

忘记密码？记住我

取消登录

CORC

首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务

在结果中检索

科研机构

上海微系统与信息技... [14]

内容类型

期刊论文 [14]

发表日期

学科主题

Physics, ... [14]

知识图谱

CORC

已提交作品

待认领作品

已认领作品

未提交全文

浏览/检索结果: 共14条，第1-10条

帮助

限定条件	学科主题：Physics, Multidisciplinary

已选(0)清除条数/页：排序方式：
	Three-Dimensional Finite Element Analysis of Phase Change Memory Cell with Thin TiO2 Film 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 38502-38502 Liu, Y; Song, ZT; Ling, Y; Feng, SL 收藏 \| 浏览/下载：12/0 \| 提交时间：2012/03/24 GE2SB2TE5
	Switching characteristics of phase change memory cell integrated with metal-oxide semiconductor field effect transistor 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 1848-1849 Xu, C; Liu, B; Chen, YF; Liang, S; Song, ZT; Feng, SL; Wan, XD; Yang, ZY; Xie, J; Chen, B 收藏 \| 浏览/下载：18/0 \| 提交时间：2012/03/24 GE2SB2TE5 FILM
	Chalcogenide random access memory cell with structure of W sub-microtube heater electrode 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 262-264 Bo, L; Feng, GM; Wu, LC; Song, ZT; Liu, QB; Feng, SL; Bomy, C 收藏 \| 浏览/下载：11/0 \| 提交时间：2012/03/24 PHASE-CHANGE MEMORY ION-BEAM METHOD SB2TE3 MATERIAL GE2SB2TE5 FILM ELEMENT CRYSTALLIZATION
	Remarkable resistance change in plasma oxidized TiOx/TiNx film for memory application 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 1103-1105 Wu, LC; Song, ZT; Liu, B; Rao, F; Xu, C; Zhang, T; Yin, WJ; Feng, SL 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY THIN OXIDE-FILMS GE2SB2TE5 FILMS ELECTRICAL-PROPERTIES NEGATIVE RESISTANCE NIO FILMS
	Si1Sb2Te3 phase change material for chalcogenide random access memory 期刊论文 CHINESE PHYSICS, 2007, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 2475-2478 Zhang, T; Song, ZT; Liu, B; Liu, WL; Feng, SL; Chen, B 收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2012/03/24 OVONIC UNIFIED MEMORY AMORPHOUS THIN-FILMS OPTICAL DISK RESISTANCE MEASUREMENTS ELECTRICAL-PROPERTIES GE2SB2TE5 FILM TE GLASSES CRYSTALLIZATION IMPLANTATION BEHAVIOR
	Total dose radiation tolerance of phase change memory cell with GeSbTe alloy 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2557-2559 Wu, LC; Liu, B; Song, ZT; Feng, GM; Feng, SL; Chen, B 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2012/03/24 AMORPHOUS THIN-FILMS RANDOM-ACCESS MEMORY GE2SB2TE5 FILMS ELECTRICAL-PROPERTIES NONVOLATILE GE20TE80-XBIX IMPLANTATION TEMPERATURE TRANSITION
	Study on the delamination of tungsten thin films on Sb2Te3 期刊论文 CHINESE PHYSICS, 2006, 卷号: 15, 期号: 8, 页码: 1849-1854 Xu, JQ; Liu, B; Song, ZT; Feng, SL; Chen, B 收藏 \| 浏览/下载：11/0 \| 提交时间：2012/03/24 PHASE-CHANGE GE2SB2TE5 FILMS STRESS ADHESION MICROSTRUCTURE
	Phase transition phenomena in ultra-thin Ge2Sb2Te5 film 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1803-1805 Zhang, T; Liu, B; Song, ZT; Liu, WL; Feng, SL; Chen, B 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2012/03/24 OVONIC UNIFIED MEMORY CRYSTALLIZATION
	Electrical properties of ag-doped Ge2Sb2Te5 films used for phase change random access memory 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 934-937 Xia, JL; Liu, B; Song, ZT; Feng, SL; Chen, B 收藏 \| 浏览/下载：10/0 \| 提交时间：2012/03/24 SWITCHING PHENOMENA DEVICE
	Reversible phase change for C-RAM nano-cell-element fabricated by focused ion beam method 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 758-761 Liu, B; Song, ZT; Feng, SL; Chen, BM 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY GE2SB2TE5 FILMS CRYSTALLIZATION TEMPERATURE MEDIA

相关链接
欧盟学术资源开放存取平台
CALIS高校机构知识库
台湾学术机构典藏
香港机构知识库整合系统
中国科学院机构知识库网格系统

CORC
关于我们
服务条款
隐私条款

联系我们
0931-8270076
cspace@llas.ac.cn
China-OR

中文简体

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace