×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
上海微系统与信息技术... [4]
金属研究所 [1]
上海硅酸盐研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2018 [1]
2017 [1]
2007 [1]
2005 [2]
1999 [1]
学科主题
Physics, A... [6]
Chemistry,... [2]
Physics, C... [2]
Chemistry,... [1]
Materials ... [1]
Materials ... [1]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
限定条件
学科主题:Physics, Applied
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Boron Embedded in Metal Iron Matrix as a Novel Anode Material of Excellent Performance
期刊论文
ADVANCED MATERIALS, 2018, 卷号: 30, 期号: 35
作者:
Dong, Wujie
;
Zhao, Yantao
;
Wang, Xin
;
Yuan, Xiaotao
;
Bu, Kejun
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2018/12/28
boron oxide
Fe-B alloy
high conductivity
Li-B alloy
lithium ion batteries (LIBs)
Adsorption of precious and coinage metals on Rh (111), Ru (0001) and W (110) surfaces
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017, 卷号: 410, 页码: 282-290
Zhu, Quanxi
;
Wang, Shao-qing
收藏
  |  
浏览/下载:143/0
  |  
提交时间:2017/08/17
Surface adsorption
Work function
Charge transfer
Polarization effect
Lattice strain
Platinum metals
Coinage metals
Impurity mediated absorption continuum in single-walled carbon nanotubes
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 90, 期号: 2, 页码: 23106-23106
Zhang, C
;
Cao, JC
;
Guo, XG
;
Liu, F
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2011/12/17
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
ELECTRONIC-STRUCTURE
GRAPHENE TUBULES
PHOTOCONDUCTIVITY
Investigation of Ge nanocrytals in a metal-insulator-semiconductor structure with a HfO2/SiO2 stack as the tunnel dielectric
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 86, 期号: 11, 页码: 113105-113105
Wang, SY
;
Liu, WL
;
Wan, Q
;
Dai, JY
;
Lee, PF
;
Suhua, L
;
Shen, QW
;
Zhang, M
;
Song, ZT
;
Lin, CL
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2012/03/24
NANOCRYSTAL MEMORY DEVICE
GATE DIELECTRICS
CHARGE-STORAGE
SILICON NANOCRYSTALS
THERMAL-STABILITY
DEPOSITION
Germanium movement mechanism in SiGe-on-insulator fabricated by modified Ge condensation
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2005, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 64504-64504
Di, ZF
;
Chu, PK
;
Zhang, M
;
Liu, WL
;
Song, ZT
;
Lin, CL
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2012/03/24
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
STRAINED-SI
MOBILITY ENHANCEMENT
OXIDATION
ELECTRON
Improved analytical model for threshold behavior of sidegating effect in GaAs metal-semiconductor field-effect transistors induced by impact ionization of deep traps
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1999, 卷号: 85, 期号: 1, 页码: 604-607
Zhao, FC
;
Xia, GQ
;
Du, LX
;
Tan, HZ
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2012/03/25
SEMI-INSULATING GAAS
MECHANISM
INJECTION
MESFETS
FETS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace