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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Applied     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Broken mirror symmetry tuned topological transport in PbTe/SnTe heterostructures 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2018, 卷号: 98, 期号: 16, 页码: - 作者:  Wei, F;  Liu, CW;  Li, D;  Wang, CY;  Zhang, HR 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/12/25 Enhanced doping effect on tuning structural phases of monolayer antimony 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 112, 期号: 21, 页码: - 作者:  Wang, JZ;  Yang, T;  Zhang, ZD;  Yang, L 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2018/12/25 Fabrication of strained silicon on insulator by strain transfer process 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 5, 页码: 51921-51921 Jin, B; Wang, X; Chen, J; Cheng, XL; Chen, ZJ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  SI N-MOSFETS  LAYER TRANSFER  SUBSTRATE  ELECTRON  SI1-XGEX   Relaxed silicon-germanium-on-insulator substrates by oxygen implantation into pseudomorphic silicon germanium/silicon heterostructure 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 82, 期号: 15, 页码: 2452-2454 An, ZH; Wu, YJ; Zhang, M; Di, ZF; Lin, CL; Fu, RKY; Chen, P; Chu, PK; Cheung, WY; Wong, SP 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  STRAINED-SI  ELECTRON  MOSFETS  LAYER   Raman scattering from longitudinal-optical phonon-plasmon-coupled mode in carbon-doped p-type InGaAs 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1995, 卷号: 78, 期号: 12, 页码: 7265-7268 Qi, M; Konagai, M; Takahashi, K 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/03/25 CARRIER CONCENTRATION  GAAS  ALXGA1-XAS  SPECTRA