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p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究 期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 6, 页码: 812-818
作者:  高博;  余学峰;  任迪远;  崔江维;  兰博
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预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 111-114
作者:  崔帅;  余学峰;  任迪远;  张华林;  艾尔肯
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