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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：Engineering (provided by Thomson Reuters)     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系 期刊论文 核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 227-230 作者:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学锋;  郑毓峰 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/11/29 CMOS运算放大器  跨导  栅氧层  氧化物电荷  界面态