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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：Engineering (provided by Thomson Reuters)     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究 期刊论文 核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456 作者:  李明;  余学峰;  卢健;  高博;  崔江维 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/11/29 PDSOI  SRAM  总剂量效应  功耗电流  退火效应   CMOS运算放大器的辐照和退火行为 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 731-734 作者:  任迪远;  陆妩;  郭旗;  余学锋;  王明刚 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/11/29 CMOS运算放大器  电离辐射  退火