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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：Applied     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Hole tunneling from valence band and hot-carrier induced hysteresis effect in 0.13 mu m partially depleted silicon-on-insulator n-MOSFETs 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2011, 卷号: 51, 期号: 12, 页码: 2077-2080 Zhou,JH; Pang,A; Cao,S; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/04/10 PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD   Gate direct-tunnelling and hot-carrier-induced hysteresis effect in partially depleted silicon-on-insulator floating-body MOSFETs 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 44, 期号: 7, 页码: 75103 Zhou,JH; Pang,A; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/04/10 IOP PUBLISHING LTD