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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：红外基础研究     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 InGaN基量子阱发光二极管光电性能的研究与器件设计优化 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  李为军 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/08/22 Ingan/gan多量子阱发光二极管  电致发光谱  态填充效应  应力致发光  纳米压印和su8技术  量子阱模型  量子点模型  内建极化场  Alingan  台阶型量子阱  Staggered 型量子阱  内量子效率  数值模拟   多尺度的量子器件光电性质研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  江俊 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/07/11 量子器件   硅基表面砷钝化及碲化镉材料外延的第一性原理研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  黄燕 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/08/22 Si高密勒指数表面  钝化  第一性原理  Cdte  As   半导体局域性能态光谱研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2007 作者:  余晨辉 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/07/11 高纯硅与锗  Inas/gaas表面量子点  光热电离光谱  压电调制反射光谱  类氢杂质  Zeeman分裂与移动  准朗道共振  新浅施主复合中心  负光电导  多重限制态  高斯线形拟合  量子点能级红移   红外光电子材料碲镉汞的功能缺陷掺杂的第一性原理研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2005 作者:  孙立忠 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/07/11 光电子材料  碲镉汞  第一性原理  Lapw方法  Ppw方法  杂质  空位缺陷   几种光电子功能材料的第一性原理研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2004 作者:  郭旭光 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/06/25 密度泛函理论  钙钛矿型氧化物  质子注入  稀磁半导体