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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：红外基础研究     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 中波红外InAsSb薄膜的LPE生长、特性研究和器件工艺探索 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2012 作者:  王奇伟 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/09/11 Inassb  液相外延  中波红外  电学输运  离子注入   氮化镓基半导体发光二极管的光电和热学特性研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2012 作者:  程立文 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/09/11 氮化镓基发光二极管  器件模拟  多层势垒结构  表面粗化  可靠性   纳米电子学方法在III-V族半导体光电功能结构中的应用研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2010 作者:  殷豪 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/09/11 扫描探针显微方法  载流子  Ingaas红外探测器  Gan紫外探测器  电子学分布   InGaN基量子阱发光二极管光电性能的研究与器件设计优化 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  李为军 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/08/22 Ingan/gan多量子阱发光二极管  电致发光谱  态填充效应  应力致发光  纳米压印和su8技术  量子阱模型  量子点模型  内建极化场  Alingan  台阶型量子阱  Staggered 型量子阱  内量子效率  数值模拟   半导体场效应晶体管器件的量子和热电子效应的研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2007 作者:  胡伟达 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/08/14 Gan基mos-hemt器件  Gan基hemt器件  器件模拟  量子方法  自加热效应  热电子效应  电流坍塌效应  量子阱器件