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科研机构
上海技术物理研究所 [6]
内容类型
学位论文 [4]
成果 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2012 [2]
2011 [1]
2008 [2]
2007 [1]
学科主题
红外基础研究 [6]
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学科主题:红外基础研究
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中波红外InAsSb薄膜的LPE生长、特性研究和器件工艺探索
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
王奇伟
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/09/11
Inassb
液相外延
中波红外
电学输运
离子注入
氮化镓基半导体发光二极管的光电和热学特性研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
程立文
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2012/09/11
氮化镓基发光二极管
器件模拟
多层势垒结构
表面粗化
可靠性
高可靠性氮化镓基半导体发光二极管材料技术及应用
成果
2011
主要完成人:
陆卫
;
张涛
;
张波
;
等
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2012/04/13
InGaN基量子阱发光二极管光电性能的研究与器件设计优化
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2008
作者:
李为军
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/08/22
Ingan/gan多量子阱发光二极管
电致发光谱
态填充效应
应力致发光
纳米压印和su8技术
量子阱模型
量子点模型
内建极化场
Alingan
台阶型量子阱
Staggered 型量子阱
内量子效率
数值模拟
应力补偿型InGaN-AlGaN量子阱发光二极管结构优化研究
期刊论文
激光与红外, 2008, 卷号: 38, 期号: 10, 页码: 1023-1026
作者:
李为军
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2011/07/08
InGaN/GaN多量子阱发光二极管的功能特性与优化研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
夏长生
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/08/14
Ingan/gan多量子阱发光二极管
器件模拟
Ingan量子点
发光效率
量子点尺寸和密度
应变
极化势
光学特性
量子点形状
发光机理
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