×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2011 [2]
2010 [1]
2007 [2]
2005 [4]
学科主题
微电子学 [9]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
限定条件
学科主题:微电子学
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Intermediate-Band Solar Cells Based on InAs/GaAs Quantum Dots
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: article no.38401
作者:
Wang KF
;
Yang XG
;
Yang T
收藏
  |  
浏览/下载:44/1
  |  
提交时间:2011/07/05
Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: article no.56104
作者:
Yu F
收藏
  |  
浏览/下载:93/6
  |  
提交时间:2011/07/06
separation by oxygen implantation
buried oxide
nitrogen implantation
positive charge density
RADIATION HARDNESS
IMPLANTING NITROGEN
ION-IMPLANTATION
IMPROVEMENT
TECHNOLOGY
OXYGEN
LAYER
Influence of nitrogen implantation into the buried oxide on the radiation hardness of silicon-on-insulator wafers
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: art. no. 106106
Tang HM (Tang Hai-Ma)
;
Zheng ZS (Zheng Zhong-Shan)
;
Zhang EX (Zhang En-Xia)
;
Yu F (Yu Fang)
;
Li N (Li Ning)
;
Wang NJ (Wang Ning-Juan)
收藏
  |  
浏览/下载:48/0
  |  
提交时间:2010/11/02
silicon-on-insulator wafers
radiation hardness
nitrogen implantation
Effect of implantation of nitrogen into SIMOX buried oxide on its fixed positive charge density
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5446-5451
Zheng, ZS (Zheng Zhong-Shan)
;
Zhang, EX (Zhang En-Xia)
;
Liu, ZL (Liu Zhong-Li)
;
Zhang, ZX (Zhang Zheng-Xuan)
;
Li, N (Li Ning)
;
Li, GH (Li Guo-Hua)
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2010/03/29
SIMOX
Radiation hardness characteristic of N-implanted and F-implanted SIMOX/NMOSFET
期刊论文
功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 426-430
作者:
YU Fang
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2010/11/23
Sensitivity of Total-Dose Radiation Hardness of SIMOX Buried Oxides to Doses of Nitrogen Implantation into Buried Oxides
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 862-866
Zheng Zhongshan
;
Liu Zhongli
;
Zhang Guoqiang
;
Li Ning
;
Li Guohua
;
Ma Hongzhi
;
Zhang Enxia
;
Zhang Zhengxuan
;
Wang Xi
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2010/11/23
Effect of the technology of implanting nitrogen into buried oxide on the radiation hardness of the top gate oxide for partially depleted SOIPMOSFET
期刊论文
chinese physics, 2005, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 565-570
Zheng ZS
;
Liu ZL
;
Zhang GQ
;
Li N
;
Fan K
;
Zhang EX
;
Yi WB
;
Chen M
;
Wang X
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2010/03/17
SOIPMOSFET
Improvement of the radiation hardness of SIMOX buried layers using nitrogen implantation
期刊论文
semiconductor science and technology, 2005, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 481-484
Zheng ZS
;
Liu ZL
;
Zhang GQ
;
Li N
;
Li GH
;
Ma HZ
;
Zhang EX
;
Zhang ZX
;
Wang X
收藏
  |  
浏览/下载:32/5
  |  
提交时间:2010/03/17
OXIDES
Radiation hardness improvement of separation-by-implantation-of-oxygen/silicon-on-insulator material by nitrogen ion implantation
期刊论文
journal of electronic materials, 2005, 卷号: 34, 期号: 11, 页码: l53-l56
Zhang EX
;
Sun JY
;
Chen J
;
Zhang ZX
;
Wang X
;
Li N
;
Zhang GQ
;
Liu ZL
收藏
  |  
浏览/下载:193/29
  |  
提交时间:2010/03/17
silicon-on-insulator (SOI)
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace