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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：微电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 常关型GaN HEMT器件制备研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 黄宇亮 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/06/06 AlGaN/GaN  高电子迁移率晶体管  常关型  选区二次外延   The study of the contribution of the surface and bulk traps to the dynamic Rdson in AlGaN/GaN HEMT by light illumination 期刊论文 applied physics letters, 2016, 卷号: 109, 期号: 18, 页码: 182103 Yanan Liang; Lifang Jia; Zhi He; Zhongchao Fan; Yun Zhang; Fuhua Yang 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2017/03/16 增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展 期刊论文 半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 10, 页码: 771-777 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 熊莹; 张仁平; 杨富华 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2012/07/17 X-Band GaN Power HEMTs with Power Density of 2.23W/mm Grown on Sapphire by MOCVD 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1865-1870 作者:  Wang Cuimei 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/23