×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [26]
内容类型
期刊论文 [20]
会议论文 [6]
发表日期
2015 [2]
2014 [2]
2013 [2]
2011 [1]
2010 [1]
2009 [2]
更多...
学科主题
微电子学 [26]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共26条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:微电子学
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Electron transport behaviors through donor-induced quantum dot array in heavily n-doped junctionless nanowire transistors
期刊论文
j. appl. phys, 2015, 卷号: 117, 页码: 034505
Liuhong Ma
;
Weihua Han
;
Hao Wang
;
Wenting Hong
;
Qifeng Lyu
;
Xiang Yang
;
Fuhua Yang
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2016/04/08
Observation of Degenerate One-Dimensional Subbands in-Single n-Channel Junctionless Nanowire Transistors
期刊论文
ieee electron device letter, 2015, 卷号: 36, 期号: 9, 页码: 941-943
Liuhong Ma
;
Weihua Han
;
Hao Wang
;
Xiang Yang
;
Fuhua Yang
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2016/04/08
Current-voltage spectroscopy of dopant-induced quantum-dots in heavily n-doped junctionless nanowire transistors
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 13, 页码: 133509
Wang, H
;
Han, WH
;
Ma, LH
;
Li, XM
;
Hong, WT
;
Yang, FH
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2015/04/02
Quantum transport characteristics in single and multiple N-channel junctionless
期刊论文
chinese physics b, 2014, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 088107
Wang, H
;
Han, WH
;
Ma, LH
;
Li, XM
;
Yang, FH
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2015/03/25
Low-Temperature Quantum Transport Characteristics in Single n-Channel Junctionless Nanowire Transistors
期刊论文
ieee electron device letters, 2013, 卷号: 34, 期号: 5, 页码: 581-583
Li, Xiaoming
;
Han, Weihua
;
Ma, Liuhong
;
Wang, Hao
;
Zhang, Yanbo
;
Yang, Fuhua
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2013/08/27
Low-Temperature Quantum Transport Characteristics in Single n-ChannelJunctionless Nanowire Transistors
期刊论文
electron device letters, ieee, 2013, 卷号: 34, 期号: 5, 页码: 581-583
Li, Xiaoming
;
Han, Weihua
;
Ma, Liuhong
;
Wang, Hao
;
Zhang, Yanbo
;
Yang, Fuhua
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2014/03/26
T-shaped gate AlGaN/GaN HEMTs fabricated by femtosecond laser lithography without ablation
期刊论文
applied physics a: materials science and processing, 2011, 页码: 1-5
Du, Y.D.
;
Cao, H.Z.
;
Yan, W.
;
Han, W.H.
;
Liu, Y.
;
Dong, X.Z.
;
Zhang, Y.B.
;
Jin, F.
;
Zhao, Z.S.
;
Yang, F.H.
;
Duan, X.M.
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2012/06/14
Ablation
Drain current
Fabrication
Gallium nitride
High electron mobility transistors
Photoresists
Ultrashort pulses
Experimental Study on the Subthreshold Swing of Silicon Nanowire Transistors
期刊论文
journal of nanoscience and nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 11 sp. iss. si, 页码: 7113-7116
Zhang YB (Zhang Yanbo)
;
Xiong Y (Xiong Ying)
;
Yang XA (Yang Xiang)
;
Wang Y (Wang Ying)
;
Han WH (Han Weihua)
;
Yang FH (Yang Fuhua)
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2010/11/30
Subthreshold Swing (SS)
Silicon-on-Insulator (SOI)
Nanowire
Wrap Gate
Side Gates
A Fully Integrated 900-MHz Passive RFID Transponder Front End With Novel Zero-Threshold RF-DC Rectifier
期刊论文
ieee transactions on industrial electronics, 2009, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 2317-2325
Yao Y
;
Wu J
;
Shi Y
;
Dai FF
收藏
  |  
浏览/下载:79/2
  |  
提交时间:2010/03/08
Backscatter modulation
charge pump
low power
low voltage
pulsewidth modulation (PWM)
radio-frequency identification (RFID)
rectifier
RF-dc
zero-threshold
Compact non-binary fast adders using single-electron devices
期刊论文
microelectronics journal, 2009, 卷号: 40, 期号: 8, 页码: 1244-1254
Zhang WC
;
Wu NJ
收藏
  |  
浏览/下载:115/21
  |  
提交时间:2010/03/08
Fast adder
Non-binary arithmetic
Counter tree diagram
Single-electron devices
Signed-digital-adder
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace