×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2010 [1]
2007 [1]
2005 [2]
学科主题
微电子学 [4]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
学科主题:微电子学
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Influence of nitrogen dose on the charge density of nitrogen-implanted buried oxide in SOI wafers
期刊论文
journal of semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 99-102
Zheng Zhongshan
;
Liu Zhongli
;
Li Ning
;
Li Guohua
;
Zhang Enxia
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2011/08/16
Effect of implantation of nitrogen into SIMOX buried oxide on its fixed positive charge density
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5446-5451
Zheng, ZS (Zheng Zhong-Shan)
;
Zhang, EX (Zhang En-Xia)
;
Liu, ZL (Liu Zhong-Li)
;
Zhang, ZX (Zhang Zheng-Xuan)
;
Li, N (Li Ning)
;
Li, GH (Li Guo-Hua)
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2010/03/29
SIMOX
Sensitivity of Total-Dose Radiation Hardness of SIMOX Buried Oxides to Doses of Nitrogen Implantation into Buried Oxides
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 862-866
Zheng Zhongshan
;
Liu Zhongli
;
Zhang Guoqiang
;
Li Ning
;
Li Guohua
;
Ma Hongzhi
;
Zhang Enxia
;
Zhang Zhengxuan
;
Wang Xi
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2010/11/23
Improvement of the radiation hardness of SIMOX buried layers using nitrogen implantation
期刊论文
semiconductor science and technology, 2005, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 481-484
Zheng ZS
;
Liu ZL
;
Zhang GQ
;
Li N
;
Li GH
;
Ma HZ
;
Zhang EX
;
Zhang ZX
;
Wang X
收藏
  |  
浏览/下载:32/5
  |  
提交时间:2010/03/17
OXIDES
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace