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科研机构
半导体研究所 [11]
内容类型
期刊论文 [11]
发表日期
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2010 [3]
2009 [1]
2007 [1]
2005 [1]
2004 [1]
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学科主题
微电子学 [11]
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学科主题:微电子学
内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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Formation of silicon nanocrystals embedded in high-kappa dielectric HfO2 and their application for charge storage
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2011, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: article no.21018
Li WL
;
Jia R
;
Chen C
;
Li HF
;
Liu XY
;
Yue HH
;
Ding WC
;
Ye TC
;
Kasai S
;
Hashizume T
;
Wu NJ
;
Xu BS
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浏览/下载:39/2
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提交时间:2011/07/05
SI NANOCRYSTALS
MEMORY
TECHNOLOGY
DEPOSITION
VOLTAGE
LAYER
Effects of sputtering power on phase transition of vanadium oxide thin film by radio frequency magnetron sputtering
期刊论文
tianjin daxue xuebao(ziran kexue yu gongcheng jishu ban)/journal of tianjin university science and technology, 2011, 卷号: 44, 期号: 10, 页码: 847-851
Liang, Ji-Ran
;
Hu, Ming
;
Liang, Xiu-Qin
;
Kan, Qiang
;
Chen, Tao
;
Chen, Hong-Da
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2012/06/14
Annealing
Magnetron sputtering
Oxide films
Oxides
Photoelectron spectroscopy
Thin films
Vanadium
Vanadium alloys
Vanadium compounds
X ray diffraction
X ray diffraction analysis
X ray photoelectron spectroscopy
Surface plasmon enhanced GaAs thin film solar cells
期刊论文
solar energy materials and solar cells, 2011, 卷号: 95, 期号: 2, 页码: 693-698
作者:
Liu W
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浏览/下载:39/2
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提交时间:2011/07/06
Ag nanoparticles
Surface plasmon resonance
GaAs
Solar cells
Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: article no.56104
作者:
Yu F
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浏览/下载:93/6
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提交时间:2011/07/06
separation by oxygen implantation
buried oxide
nitrogen implantation
positive charge density
RADIATION HARDNESS
IMPLANTING NITROGEN
ION-IMPLANTATION
IMPROVEMENT
TECHNOLOGY
OXYGEN
LAYER
Influence of nitrogen dose on the charge density of nitrogen-implanted buried oxide in SOI wafers
期刊论文
journal of semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 99-102
Zheng Zhongshan
;
Liu Zhongli
;
Li Ning
;
Li Guohua
;
Zhang Enxia
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2011/08/16
Influence of nitrogen implantation into the buried oxide on the radiation hardness of silicon-on-insulator wafers
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: art. no. 106106
Tang HM (Tang Hai-Ma)
;
Zheng ZS (Zheng Zhong-Shan)
;
Zhang EX (Zhang En-Xia)
;
Yu F (Yu Fang)
;
Li N (Li Ning)
;
Wang NJ (Wang Ning-Juan)
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/11/02
silicon-on-insulator wafers
radiation hardness
nitrogen implantation
Electrical and Optical Phase Transition Properties of Nano Vanadium Dioxide Thin Films
期刊论文
spectroscopy and spectral analysis, 2010, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 1002-1007
Liang JR (Liang Ji-ran)
;
Hu M (Hu Ming)
;
Wang XD (Wang Xiao-dong)
;
Li GK (Li Gui-ke)
;
Kan Q (Kan Qiang)
;
Ji A (Ji An)
;
Yang FH (Yang Fu-hua)
;
Liu J (Liu Jian)
;
Wu NJ (Wu Nan-jian)
;
Chen HD (Chen Hong-da)
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浏览/下载:178/28
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提交时间:2010/04/26
Nano VO2 thin films
Enhanced charge storage characteristics of silicon nanocrystals fabricated by electron-beam coevaporation of Si and SiOx(x=1 or 2)
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2009, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: 2462-2467
Chen C (Chen Chen)
;
Jia R (Jia Rui)
;
Li WL (Li Weilong)
;
Li HF (Li Haofeng)
;
Ye TC (Ye Tianchun)
;
Liu XY (Liu Xinyu)
;
Liu M (Liu Ming)
;
Kasai S (Kasai Seiya)
;
Tamotsu H (Tamotsu Hashizume)
;
Wu NJ (Wu Nanjian)
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浏览/下载:139/35
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提交时间:2010/03/08
electron beam deposition
Effect of implantation of nitrogen into SIMOX buried oxide on its fixed positive charge density
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5446-5451
Zheng, ZS (Zheng Zhong-Shan)
;
Zhang, EX (Zhang En-Xia)
;
Liu, ZL (Liu Zhong-Li)
;
Zhang, ZX (Zhang Zheng-Xuan)
;
Li, N (Li Ning)
;
Li, GH (Li Guo-Hua)
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/03/29
SIMOX
Radiation hardness improvement of separation-by-implantation-of-oxygen/silicon-on-insulator material by nitrogen ion implantation
期刊论文
journal of electronic materials, 2005, 卷号: 34, 期号: 11, 页码: l53-l56
Zhang EX
;
Sun JY
;
Chen J
;
Zhang ZX
;
Wang X
;
Li N
;
Zhang GQ
;
Liu ZL
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浏览/下载:193/29
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提交时间:2010/03/17
silicon-on-insulator (SOI)
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