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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Magnetic quantum oscillations for the surface states of topological insulator Bi2Se3 期刊论文 physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 8, 页码: art. no. 085429 Wang ZG (Wang Zhigang); Fu ZG (Fu Zhen-Guo); Wang SX (Wang Shuang-Xi); Zhang P (Zhang Ping) 收藏  |  浏览/下载：123/2  |  提交时间：2010/09/07 SINGLE DIRAC CONE  BI2TE3  WELLS  PHASE   High-performance 980-nm quantum-well lasers using a hybrid material system of an Al-free InGaAs-InGaAsP active region and AlGaAs cladding layers grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 ieee journal of quantum electronics, 1999, 卷号: 35, 期号: 10, 页码: 1535-1541 Yang GW; Hwu RJ; Xu ZT; Ma XY 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum-well lasers  semiconductor diodes  semiconductor epitaxial layers  semiconductor lasers  semiconductor materials  NM DIODE-LASERS  WAVE-GUIDE  AMPLIFIER  FRONT-FACET POWER   A voltage-controlled tunable two-color infrared photodetector using GaAs/AlAs/GaAlAs and GaAs/GaAlAs stacked multiquantum wells 期刊论文 applied physics letters, 1996, 卷号: 68, 期号: 15, 页码: 2114-2116 Zhang YH; Jiang DS; Xia JB; Cui LQ; Song CY; Zhou ZQ; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/17 MU-M  GAAS/ALGAAS  DETECTOR   Valence hole subbands and optical gain spectra of GaN/Ga1-xAlxN strained quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 1996, 卷号: 80, 期号: 6, 页码: 3471-3478 Fan WJ; Li MF; Chong TC; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/17 GALLIUM NITRIDE  ELECTRONIC-STRUCTURES  SEMICONDUCTOR-LASERS  ZINCBLENDE GAN  PRESSURE  PHOTOLUMINESCENCE  SUPERLATTICES  SUPPRESSION  RESONANCE  ALLOYS