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科研机构
半导体研究所 [14]
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期刊论文 [14]
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2009 [2]
2008 [1]
2006 [2]
2003 [2]
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学科主题
半导体物理 [14]
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学科主题:半导体物理
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GaAs-based long-wavelength InAs quantum dots on multi-step-graded InGaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 33, 页码: 335102
He JF
;
Wang HL
;
Shang XJ
;
Li MF
;
Zhu Y
;
Wang LJ
;
Yu Y
;
Ni HQ
;
Xu YQ
;
Niu ZC
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2012/01/06
1.3 MU-M
STRAIN RELIEF
LASERS
SUBSTRATE
PHOTOLUMINESCENCE
DISLOCATIONS
OPERATION
RANGE
GaAs-Based Metamorphic Long-Wavelength InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 067801
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/03/08
MU-M
LASER
ISLANDS
Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 12, 页码: art. no. 123705
Chen J
;
Fan WJ
;
Xu Q
;
Zhang XW
;
Li SS
;
Xia JB
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浏览/下载:82/4
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提交时间:2010/03/08
EMISSION
SPECTRA
LASERS
8-BAND
Electronic structure and optical gain of wurtzite ZnO nanowires
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 18, 页码: art. no. 181101
Zhang, XW
;
Li, JB
;
Li, SS
;
Xia, JB
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/03/08
ROOM-TEMPERATURE
QUANTUM-WELLS
NANOBELTS
GROWTH
ARRAYS
LASERS
WIRES
FIELD
Time-resolved photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
thin solid films, 2006, 卷号: 498, 期号: 1-2, 页码: 188-192
Kong LM
;
Cai JF
;
Wu ZY
;
Gong Z
;
Niu ZC
;
Feng ZC
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/04/11
time-resolved photoluminescence
InAs self-assembled QDs
migration of carriers
1.3 MU-M
DEPENDENT RADIATIVE DECAY
THERMAL REDISTRIBUTION
EXCITONS
RECOMBINATION
RELAXATION
LIFETIMES
EMISSION
EPITAXY
LASERS
Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of InAs quantum dots grown on vicinal GaAs (1-00) substrates by using MOCVD
期刊论文
chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 1114-1119
作者:
Liang S
;
Pan JQ
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/04/11
self-assembled quantum dots
indium arsenide
bimodal size distribution
MOCVD
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MU-M
ISLANDS
DENSITY
EPITAXY
LASER
Size evolution and optical properties of self-assembled InAs quantum dots on different matrix
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2003, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 292-297
作者:
Xu B
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
self-assembled
MBE
quantum dots
photoluminescence
1.3 MU-M
TEMPERATURE-DEPENDENCE
EXCITED-STATES
INXGA1-XAS
LASERS
INP
Structure and photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum dots grown via cycled (InAs)(n)/(GaAs)(n) monolayer deposition
期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 3, 页码: 1154-1157
He J
;
Wang XD
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Qu SC
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/08/12
MBE
InGaAs/GaAs
quantum dots
photoluminescence
morphology
MU-M
WELL STRUCTURES
GAAS
LASERS
TEMPERATURE
STATES
INP
Effects of rapid thermal annealing and SiO2 encapsulation on GaNAs/GaAs single quantum wells grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2488-2490
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:68/3
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提交时间:2010/08/12
1.3 MU-M
OPTICAL-PROPERTIES
BAND-GAP
SUPERLATTICES
LASERS
GAAS
Unusual temperature-dependent optical properties of self-organized InAs/GaAs quantum dots at high excitation power
期刊论文
chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 982-985
作者:
Xu B
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浏览/下载:99/12
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提交时间:2010/08/12
ENERGY RELAXATION
EMISSION
LASERS
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